IRF5802TRPBF دیتاشیت

IRF5802TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF5802TRPBF
حجم فایل 58.575 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IRF5802TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF5802TRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 88pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 900mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,540mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه